+86-755-82561458
Ic Memori DDR SDRAM MT53E512M32D1ZW-046

Ic Memori DDR SDRAM MT53E512M32D1ZW-046

MT53E512M32D1ZW-046 ialah ic memori DDR SDRAM.

Description/kawalan

Penerangan Produk

MT53E512M32D1ZW-046 ialah ic memori DDR SDRAM.

 

ciri-ciri
 

MT53E512M32D1ZW-04604

MT53E512M32D1ZW-046 ialah DDR SDRAM LPDDRL termaju yang direka bentuk untuk menawarkan prestasi yang boleh dipercayai dan cekap. Modul memori ini dilengkapi dengan teras voltan ultra rendah dan bekalan kuasa I/O, yang membolehkannya beroperasi dengan lancar dan berkesan tanpa menggunakan kuasa yang berlebihan.

 

Salah satu ciri utama DDR SDRAM LPDDRL ini ialah seni bina DDR prefetch 16n. Seni bina ini bertanggungjawab untuk meningkatkan prestasi keseluruhan modul memori, memastikan data diakses dan dipindahkan dengan cepat dan cekap.

 

Sebagai tambahan kepada seni bina DDR prefetchnya, modul memori ini mampu menyampaikan sehingga 8.5 GB/s setiap saluran x16, menjadikannya pilihan yang sangat baik untuk aplikasi yang memerlukan pemprosesan data berkelajuan tinggi.

 

Satu lagi ciri penting DDR SDRAM LPDDRL ini ialah keupayaan henti jamnya. Ciri ini membolehkan modul memori menghentikan isyarat jamnya semasa tempoh tidak aktif, membantu mengekalkan kuasa dan memanjangkan hayat peranti.

 

Secara keseluruhannya, MT53E512M32D1ZW-046 ialah DDR SDRAM LPDDRL berkuasa yang memfokuskan pada penyampaian prestasi yang boleh dipercayai dan cekap. Ia adalah pilihan yang sangat baik untuk pelbagai aplikasi, dan pasti memenuhi keperluan pengguna yang paling menuntut sekalipun.

 

   

1700 V 160 mQ SiC M0SFET
Indeks Prestasi Kos Unggul
Indeks Prestasi Kos Unggul
Parameter

 

Kaedah pembungkusan Voltag berfungsi Suhu operasi
TFBGA-200 1.1V - 1.8V -25 darjah hingga 85 darjah

 


Konfigurasi Pin

product-349-281

 

 

 

Cool tags: ddr sdram memory ic mt53e512m32d1zw-046, China ddr sdram memory ic mt53e512m32d1zw-046 pembekal, pengilang

Hubungi Pembekal